Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG30N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG30N60B3
Beschreibung IGBT 600V 60A 208W TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.920
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 20 - Jul 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGTG30N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG30N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HGTG30N60B3 Datasheet
  • where to find HGTG30N60B3
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HGTG30N60B3
  • HGTG30N60B3 PDF Datasheet
  • HGTG30N60B3 Stock

  • HGTG30N60B3 Pinout
  • Datasheet HGTG30N60B3
  • HGTG30N60B3 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HGTG30N60B3 Price
  • HGTG30N60B3 Distributor

HGTG30N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
Leistung - max208W
Schaltenergie500µJ (on), 680µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.36ns/137ns
Testbedingung480V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AIKW50N65DF5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

NGTB40N120FL3WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

212nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/145ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC20UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HGTD1N120BNS9A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

70µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/67ns

Testbedingung

960V, 1A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

IXGA20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

150µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/150ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Kürzlich verkauft

SMBJ33CA

SMBJ33CA

Semtech

1-LINE 33V 11.3A TVS DO-214AA

B3S-1000P

B3S-1000P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

BAT54A

BAT54A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

LTC2912HTS8-2#TRMPBF

LTC2912HTS8-2#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VOLT MONITOR SNGL TSOT23-8

TOP222PN

TOP222PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

AOD486A

AOD486A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 50A TO-252