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NGTB40N120FL3WG

NGTB40N120FL3WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB40N120FL3WG
PNEDA Teilenummer NGTB40N120FL3WG
Beschreibung IGBT 1200V 160A TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $34,1496
100 ---------- $32,5489
250 ---------- $30,9481
500 ---------- $29,3473
750 ---------- $28,0134
1.000 ---------- $26,6794
Auf Lager 35.239
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NGTB40N120FL3WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB40N120FL3WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB40N120FL3WG, NGTB40N120FL3WG Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 265,78 KB)
PDFNGTB40N120FL3WG Datenblatt Cover
NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 2 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 3 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 4 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 5 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 6 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 7 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 8 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 9 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 10 NGTB40N120FL3WG Datenblatt Seite 11

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NGTB40N120FL3WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
Leistung - max454W
Schaltenergie1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge212nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/145ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)136ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

108A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

255A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

5.9mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

850V, 30A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

484W

Schaltenergie

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/123ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IKZ75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/405ns

Testbedingung

400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

STGWT40H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

498mJ (on), 363mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

HGTG12N60B3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

150µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MAX3488ESA+

MAX3488ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

PIC18F46K22-I/PT

PIC18F46K22-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

BAT54T1G

BAT54T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

Abracon

MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS

AT24C256-10TI-2.7

AT24C256-10TI-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

CRCW0402499RFKED

CRCW0402499RFKED

Vishay Dale

RES SMD 499 OHM 1% 1/16W 0402

ALT4532M-171-T001

ALT4532M-171-T001

TDK

XFRMR LAN 1CT:1CT 170UH

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

VN610SP-E

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RELAY SSR HI-SIDE 1CH POWERSO10

MMSZ5229B-7-F

MMSZ5229B-7-F

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DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

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LM2901DR

Rohm Semiconductor

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