HGTG30N60C3D
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| Teilenummer | HGTG30N60C3D |
| PNEDA Teilenummer | HGTG30N60C3D |
| Beschreibung | IGBT 600V 63A 208W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG30N60C3D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG30N60C3D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG30N60C3D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 63A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 252A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 208W |
| Schaltenergie | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 162nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/90ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 280W Schaltenergie 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/70ns Testbedingung 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 251nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/845ns Testbedingung 960V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 275A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 30A Leistung - max 680W Schaltenergie 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/150ns Testbedingung 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227B |
