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IRG7PH42UDPBF

IRG7PH42UDPBF IRG7PH42UDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PH42UDPBF
PNEDA Teilenummer IRG7PH42UDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 9.144
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG7PH42UDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PH42UDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG7PH42UDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max320W
Schaltenergie2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge157nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/229ns
Testbedingung600V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)153ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.3µs/8µs

Testbedingung

328V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RJH60A83RDPN-E0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/650ns

Testbedingung

960V, 25A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGA50S110P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1100V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

195nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

AIHD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/105ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Lieferantengerätepaket

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