Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Nur als Referenz

Teilenummer HGTP3N60A4
PNEDA Teilenummer HGTP3N60A4
Beschreibung IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGTP3N60A4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTP3N60A4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGTP3N60A4, HGTP3N60A4 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 189,33 KB)
PDFHGTP3N60A4 Datenblatt Cover
HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 2 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 3 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 4 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 5 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 6 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 7 HGTP3N60A4 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HGTP3N60A4 Datasheet
  • where to find HGTP3N60A4
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HGTP3N60A4
  • HGTP3N60A4 PDF Datasheet
  • HGTP3N60A4 Stock

  • HGTP3N60A4 Pinout
  • Datasheet HGTP3N60A4
  • HGTP3N60A4 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HGTP3N60A4 Price
  • HGTP3N60A4 Distributor

HGTP3N60A4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)17A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A
Leistung - max70W
Schaltenergie37µJ (on), 25µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/73ns
Testbedingung390V, 3A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SGR6N60UFTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

57µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/60ns

Testbedingung

300V, 3A, 80Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

SGR15N40LTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

AUIRGDC0250

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

141A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

99A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.57V @ 15V, 33A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

227nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/485ns

Testbedingung

600V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

SUPER-220™ (TO-273AA)

SGH15N60RUFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 356µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/44ns

Testbedingung

300V, 15A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

SGW13N60UFDTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/70ns

Testbedingung

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Kürzlich verkauft

STM32L433CCU6

STM32L433CCU6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFPN

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

FC-135 32.7680KA-A5

FC-135 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.7680 KHZ 12.5PF SMD

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

L78L05ABUTR

L78L05ABUTR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89-3

74LCX16373MTDX

74LCX16373MTDX

ON Semiconductor

IC LATCH TRANSP 16BIT LV 48TSSOP

G5LE-14 DC12

G5LE-14 DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V

TDA08H0SB1

TDA08H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

ADN4662BRZ

ADN4662BRZ

Analog Devices

IC RECEIVER 0/1 8SOIC

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A 16TSSOP