IGW15N120H3FKSA1
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| Teilenummer | IGW15N120H3FKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGW15N120H3FKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.828 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGW15N120H3FKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGW15N120H3FKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGW15N120H3FKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 217W |
| Schaltenergie | 1.55mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 75nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/260ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 35Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 535W Schaltenergie 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 116ns/286ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 58A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (HB) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 585µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/85ns Testbedingung 800V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 750W Schaltenergie 2.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 123nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/93ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
