IMW120R045M1XKSA1
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| Teilenummer | IMW120R045M1XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IMW120R045M1XKSA1 |
| Beschreibung | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMW120R045M1XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMW120R045M1XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IMW120R045M1XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 52A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.9nF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 228W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-41 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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