IPB017N08N5ATMA1
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| Teilenummer | IPB017N08N5ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPB017N08N5ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB017N08N5ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPB017N08N5ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB017N08N5ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4951pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT™-8 Paket / Fall 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 450mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 16W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220ML Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
