IRF9540NSPBF
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| Teilenummer | IRF9540NSPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9540NSPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.358 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF9540NSPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF9540NSPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF9540NSPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-HUSON (2x2) Paket / Fall 6-PowerWDFN |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 41W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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