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IRG4BC10SD-SPBF

IRG4BC10SD-SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC10SD-SPBF
PNEDA Teilenummer IRG4BC10SD-SPBF
Beschreibung IGBT 600V 14A 38W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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IRG4BC10SD-SPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC10SD-SPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC10SD-SPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Leistung - max38W
Schaltenergie310µJ (on), 3.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.76ns/815ns
Testbedingung480V, 8A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

520µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/180ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

NGB8207ABNT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 3.7V, 10A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4P254S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

98A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

196A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 55A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

200V, 55A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IKP03N120H2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9.6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IXGH24N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/200ns

Testbedingung

1360V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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