IXGH24N170
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| Teilenummer | IXGH24N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH24N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 50A 250W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.742 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH24N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH24N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH24N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 106nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42ns/200ns |
| Testbedingung | 1360V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max 160W Schaltenergie 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/97ns Testbedingung 800V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 63ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 8A Leistung - max 280W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/180ns Testbedingung 1250V, 8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket TO-247HV |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 192.3W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
