IRG4BC20SD-S
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| Teilenummer | IRG4BC20SD-S |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC20SD-S |
| Beschreibung | IGBT 600V 19A 60W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC20SD-S Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC20SD-S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4BC20SD-S Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 19A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 38A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 320µJ (on), 2.58mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 27nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 62ns/690ns |
| Testbedingung | 480V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/165ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 144A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 48A Leistung - max 330W Schaltenergie 625µJ (on), 1.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/145ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 33W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
