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STGW50HF60S

STGW50HF60S

Nur als Referenz

Teilenummer STGW50HF60S
PNEDA Teilenummer STGW50HF60S
Beschreibung IGBT 600V 110A 284W TO247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $62,5540
100 ---------- $59,6218
250 ---------- $56,6895
500 ---------- $53,7573
750 ---------- $51,3138
1.000 ---------- $48,8703
Auf Lager 151.426
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STGW50HF60S Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW50HF60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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STGW50HF60S Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)110A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)130A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.45V @ 15V, 30A
Leistung - max284W
Schaltenergie250µJ (on), 4.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/220ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

800µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGW40V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG8B08N120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

300µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/160ns

Testbedingung

600V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGY60T120SQDN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 60A

Leistung - max

517W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

311nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/296ns

Testbedingung

600V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

VY2222M35Y5US63V7

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Vishay BC Components

CAP CER 2200PF 440VAC Y5U RADIAL

BZT52C4V3-7

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DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

SD05.TCT

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Semtech

TVS DIODE 5V 14.5V SOD323

ADP171AUJZ-R7

ADP171AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 300MA TSOT5

MT46V32M16P-5B IT:J

MT46V32M16P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

ADM2582EBRWZ

ADM2582EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD

BC807-16-7-F

BC807-16-7-F

Diodes Incorporated

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

PIC16F876-20I/SO

PIC16F876-20I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SOIC

OV00426-B64G

OV00426-B64G

OmniVision Technologies Inc

BRIDGE SENSOR ASIC