IRG4BC30K
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG4BC30K |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC30K |
| Beschreibung | IGBT 600V 28A 100W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC30K Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC30K |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4BC30K Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 28A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 58A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 360µJ (on), 510µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 67nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/130ns |
| Testbedingung | 480V, 16A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 305W Schaltenergie 490µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/175ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 740µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/400ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 58A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 194W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A Leistung - max 416W Schaltenergie 1.96mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 179nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/310ns Testbedingung 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A Leistung - max 178.5W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
