IRGC4630B
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| Teilenummer | IRGC4630B |
| PNEDA Teilenummer | IRGC4630B |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGC4630B Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGC4630B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGC4630B Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max 80W Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 700ns/1.2µs Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/450ns Testbedingung 480V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 133W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/64ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 40A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.3mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 59nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/125ns Testbedingung 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 365ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB2 IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 72A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 227W Schaltenergie 410µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/125ns Testbedingung 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
