IRGS8B60KTRLPBF
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| Teilenummer | IRGS8B60KTRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGS8B60KTRLPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 28A 167W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.790 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS8B60KTRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS8B60KTRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS8B60KTRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 28A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 34A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 160µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 29nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/140ns |
| Testbedingung | 400V, 8A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/40ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 130µJ (on), 92µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/135ns Testbedingung 180V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 51.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 59W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/94ns Testbedingung 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
