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ISL9V3040S3S

ISL9V3040S3S

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V3040S3S
PNEDA Teilenummer ISL9V3040S3S
Beschreibung IGBT 430V 21A 150W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.086
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ISL9V3040S3S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V3040S3S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
ISL9V3040S3S, ISL9V3040S3S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 476,91 KB)
PDFISL9V3040S3S Datenblatt Cover
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ISL9V3040S3S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)21A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/4.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

460µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/40ns

Testbedingung

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7ns/106ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/240ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

340ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

790W

Schaltenergie

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

399nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/332ns

Testbedingung

600V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

99ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 10V, 3A

Leistung - max

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Gate Charge

12.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/600ns

Testbedingung

480V, 3A, 470Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

234ns

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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