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FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN

Nur als Referenz

Teilenummer FGY75T120SQDN
PNEDA Teilenummer FGY75T120SQDN
Beschreibung IGBT 1200V 75A UFS
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGY75T120SQDN Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGY75T120SQDN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGY75T120SQDN, FGY75T120SQDN Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 618,5 KB)
PDFFGY75T120SQDN Datenblatt Cover
FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 2 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 3 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 4 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 5 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 6 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 7 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 8 FGY75T120SQDN Datenblatt Seite 9

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FGY75T120SQDN Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 75A
Leistung - max790W
Schaltenergie6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge399nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.64ns/332ns
Testbedingung600V, 75A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)99ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

456µJ (on), 635µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/85ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

TIG056BF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 240A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/140ns

Testbedingung

320V, 240A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FI(LS)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

800µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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