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IXGH32N60BU1

IXGH32N60BU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH32N60BU1
PNEDA Teilenummer IXGH32N60BU1
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH32N60BU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH32N60BU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH32N60BU1, IXGH32N60BU1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 139,14 KB)
PDFIXGH32N60BU1 Datenblatt Cover
IXGH32N60BU1 Datenblatt Seite 2 IXGH32N60BU1 Datenblatt Seite 3 IXGH32N60BU1 Datenblatt Seite 4 IXGH32N60BU1 Datenblatt Seite 5 IXGH32N60BU1 Datenblatt Seite 6

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IXGH32N60BU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 32A
Leistung - max200W
Schaltenergie600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/100ns
Testbedingung480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGW60H60DLFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 5A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/190ns

Testbedingung

850V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGH40T120SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/475ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC30KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

SMBJ30CA-E3/52

SMBJ30CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

BLM18KG121TN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

NC7WZ07P6X

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ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

EPM2210F256I5N

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Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

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IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 38QFN

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TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3

AT24C512C-SSHM-B

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Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

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Maxim Integrated

IC MASTER I2C-1WIRE 1CH 9-WLP

TAJA226K010RNJ

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CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

IHLP2525CZERR33M01

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Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

MAX3491ESD+T

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

AD7908BRUZ

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IC ADC 8BIT SAR 20TSSOP