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IXGQ85N33PCD1

IXGQ85N33PCD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGQ85N33PCD1
PNEDA Teilenummer IXGQ85N33PCD1
Beschreibung IGBT 330V 85A 150W TO3P
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.046
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IXGQ85N33PCD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGQ85N33PCD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGQ85N33PCD1, IXGQ85N33PCD1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 136,89 KB)
PDFIXGQ85N33PCD1 Datenblatt Cover
IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 2 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 3 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 4 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 5 IXGQ85N33PCD1 Datenblatt Seite 6

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IXGQ85N33PCD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolar™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

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Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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