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IXGR60N60C3D1

IXGR60N60C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR60N60C3D1
PNEDA Teilenummer IXGR60N60C3D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR60N60C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR60N60C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR60N60C3D1, IXGR60N60C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 216,15 KB)
PDFIXGR60N60C3D1 Datenblatt Cover
IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGR60N60C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGR60N60C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max170W
Schaltenergie800µJ (on), 450µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge115nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/70ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

158nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/152ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/152ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

410µJ (on), 88µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

99nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/93ns

Testbedingung

400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

170W

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Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

330ns/700ns

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-

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

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