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IXGT28N120BD1

IXGT28N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT28N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGT28N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 50A 250W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT28N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT28N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT28N120BD1, IXGT28N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 197,76 KB)
PDFIXGH28N120BD1 Datenblatt Cover
IXGH28N120BD1 Datenblatt Seite 2 IXGH28N120BD1 Datenblatt Seite 3 IXGH28N120BD1 Datenblatt Seite 4 IXGH28N120BD1 Datenblatt Seite 5 IXGH28N120BD1 Datenblatt Seite 6

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IXGT28N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 28A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge92nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/210ns
Testbedingung960V, 28A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

498µJ (on), 363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

STGWA19NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 3.7V, 10A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

42W

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Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

28ns

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Paket / Fall

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