IXGT32N170
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| Teilenummer | IXGT32N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT32N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 75A 350W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT32N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT32N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT32N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 350W |
| Schaltenergie | 11mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 155nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/270ns |
| Testbedingung | 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max 198W Schaltenergie 1.9mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/580ns Testbedingung 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A Leistung - max 750W Schaltenergie 5.4mJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/216ns Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 460A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A Leistung - max 830W Schaltenergie 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 168nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/150ns Testbedingung 400V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 156ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max 160W Schaltenergie 950µJ (on), 2.01mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 63ns/230ns Testbedingung 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
