IXST30N60CD1
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| Teilenummer | IXST30N60CD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXST30N60CD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 55A 200W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXST30N60CD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXST30N60CD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXST30N60CD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 55A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 700µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/90ns |
| Testbedingung | 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 860A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max 258W Schaltenergie 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/189ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 53ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/111ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 339W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 208nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 730ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A Leistung - max 60W Schaltenergie 70µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/67ns Testbedingung 960V, 1A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
