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IXST30N60CD1

IXST30N60CD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXST30N60CD1
PNEDA Teilenummer IXST30N60CD1
Beschreibung IGBT 600V 55A 200W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.808
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IXST30N60CD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXST30N60CD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXST30N60CD1, IXST30N60CD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 72,9 KB)
PDFIXST30N60CD1 Datenblatt Cover
IXST30N60CD1 Datenblatt Seite 2

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IXST30N60CD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max200W
Schaltenergie700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/90ns
Testbedingung480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 9A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

530µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/110ns

Testbedingung

600V, 9A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

620µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGB30V60DF

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IHW30N160R2FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

312W

Schaltenergie

4.37mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/525ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/110ns

Testbedingung

700V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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