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IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXX110N65B4H1
PNEDA Teilenummer IXXX110N65B4H1
Beschreibung IGBT 650V 240A 880W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.084
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IXXX110N65B4H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXX110N65B4H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXX110N65B4H1, IXXX110N65B4H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 245,78 KB)
PDFIXXK110N65B4H1 Datenblatt Cover
IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 2 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 3 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 4 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 5 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 6 IXXK110N65B4H1 Datenblatt Seite 7

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IXXX110N65B4H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)240A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)630A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 110A
Leistung - max880W
Schaltenergie2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge183nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.38ns/156ns
Testbedingung400V, 55A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

117ns/285ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

217W

Schaltenergie

1.55mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/260ns

Testbedingung

600V, 15A, 35Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG7CH30K10EF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.56V @ 15V, 10A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

4.8nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/90ns

Testbedingung

600V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IRG8CH106K10F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 110A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

700nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/380ns

Testbedingung

600V, 110A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

185W

Schaltenergie

350µJ (on), 435µJ (off)

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Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/120ns

Testbedingung

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