IXYX100N65B3D1
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| Teilenummer | IXYX100N65B3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYX100N65B3D1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYX100N65B3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYX100N65B3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYX100N65B3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 225A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 460A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 70A |
| Leistung - max | 830W |
| Schaltenergie | 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 168nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/150ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 156ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A Leistung - max 290W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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