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MCC132-12IO1

MCC132-12IO1

Nur als Referenz

Teilenummer MCC132-12IO1
PNEDA Teilenummer MCC132-12IO1
Beschreibung MOD THYRISTOR DUAL 1200V Y4-M6
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MCC132-12IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCC132-12IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCC132-12IO1, MCC132-12IO1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 206,62 KB)
PDFMCC132-12IO1 Datenblatt Cover
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MCC132-12IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)130A
Current - On State (It (RMS)) (max.)300A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)4750A, 5080A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY4-M6

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Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

150A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Infineon Technologies

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Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

470A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7100A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

CD431490C

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

90A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

141A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

TDB6HK180N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

IRKT105/06A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

235A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1785A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

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