MT29F2T08CVCBBG6-6C:B
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| Teilenummer | MT29F2T08CVCBBG6-6C:B |
| PNEDA Teilenummer | MT29F2T08CVCBBG6-6C-B |
| Beschreibung | IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.878 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F2T08CVCBBG6-6C:B Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F2T08CVCBBG6-6C:B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F2T08CVCBBG6-6C:B Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 2Tb (256G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 272-LFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 272-LFBGA (14x18) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
