NCV51511PDR2G
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| Teilenummer | NCV51511PDR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCV51511PDR2G |
| Beschreibung | HIGH SIDE AND LOW SIDE GA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCV51511PDR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCV51511PDR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCV51511PDR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side or Low-Side |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 8V ~ 16V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 2V, 1.8V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3A, 6A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 100V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6ns, 4ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 990ns, 715ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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