Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB50N120FL2WG
PNEDA Teilenummer NGTB50N120FL2WG
Beschreibung IGBT 1200V 100A 535W TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $93,7167
50 ---------- $89,3238
100 ---------- $84,9308
200 ---------- $80,5378
400 ---------- $76,8770
500 ---------- $73,2162
Auf Lager 851
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGTB50N120FL2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB50N120FL2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB50N120FL2WG, NGTB50N120FL2WG Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 106,47 KB)
PDFNGTB50N120FL2WG Datenblatt Cover
NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 2 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 3 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 4 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 5 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 6 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 7 NGTB50N120FL2WG Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NGTB50N120FL2WG Datasheet
  • where to find NGTB50N120FL2WG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG
  • NGTB50N120FL2WG PDF Datasheet
  • NGTB50N120FL2WG Stock

  • NGTB50N120FL2WG Pinout
  • Datasheet NGTB50N120FL2WG
  • NGTB50N120FL2WG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NGTB50N120FL2WG Price
  • NGTB50N120FL2WG Distributor

NGTB50N120FL2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Leistung - max535W
Schaltenergie4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge311nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.118ns/282ns
Testbedingung600V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)256ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 40A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

11.7mJ (on), 6.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

1250V, 40A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247PLUS-HV

IRG4PSH71KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

67ns/230ns

Testbedingung

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

920µJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/142ns

Testbedingung

400V, 60A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

205ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT100GN60LDQ4G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

229A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

4.75mJ (on), 2.675mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/310ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

STGB15H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

136µJ (on), 207µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

81nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24.5ns/118ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

103ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

BZ-2RDT

BZ-2RDT

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V

LTST-C190KFKT

LTST-C190KFKT

Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR CHIP SMD

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

AOZ8903CI

AOZ8903CI

Alpha & Omega Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 7V SOT23-6

MD2369A

MD2369A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 40V 0.5A TO-78

1SMC48A TR13

1SMC48A TR13

Central Semiconductor Corp

TVS DIODE 48V 77.4V SMC

MAX9850ETI+

MAX9850ETI+

Maxim Integrated

IC AMP AUDIO .095W STER 28TQFN

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143

M29W160ET70N6E

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8