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NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB75N65FL2WG
PNEDA Teilenummer NGTB75N65FL2WG
Beschreibung IGBT 600V 75A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.108
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB75N65FL2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB75N65FL2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB75N65FL2WG, NGTB75N65FL2WG Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 239,22 KB)
PDFNGTB75N65FL2WG Datenblatt Cover
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NGTB75N65FL2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 75A
Leistung - max595W
Schaltenergie1.5mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.110ns/270ns
Testbedingung400V, 75A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IGW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

375nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/252ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGA40N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

470µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/65ns

Testbedingung

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/90ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

RGT16NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/33ns

Testbedingung

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Kürzlich verkauft

PIC16F1509-I/SS

PIC16F1509-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

TLP350H(F)

TLP350H(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE

NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

LTC1726IS8-2.5#PBF

LTC1726IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

B1250T

B1250T

Bourns

FUSE BRD MNT 1.25A 600VAC 2SMD

ADUM1401BRWZ

ADUM1401BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323