NTZD3152PT1H
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| Teilenummer | NTZD3152PT1H |
| PNEDA Teilenummer | NTZD3152PT1H |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTZD3152PT1H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTZD3152PT1H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTZD3152PT1H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 430mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 430mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 16V |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563-6 |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket 6-DSBGA (1x1.5) |
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