Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTZD3155CT1H

NTZD3155CT1H

Nur als Referenz

Teilenummer NTZD3155CT1H
PNEDA Teilenummer NTZD3155CT1H
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTZD3155CT1H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTZD3155CT1H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTZD3155CT1H, NTZD3155CT1H Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 114,67 KB)
PDFNTZD3155CT1H Datenblatt Cover
NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 2 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 3 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 4 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 5 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 6 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 7 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTZD3155CT1H Datasheet
  • where to find NTZD3155CT1H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTZD3155CT1H
  • NTZD3155CT1H PDF Datasheet
  • NTZD3155CT1H Stock

  • NTZD3155CT1H Pinout
  • Datasheet NTZD3155CT1H
  • NTZD3155CT1H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTZD3155CT1H Price
  • NTZD3155CT1H Distributor

NTZD3155CT1H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1986pF @ 50V

Leistung - max

2.2W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

SI7236DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

MMDF1N05ER2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6

NTHD2102PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

Kürzlich verkauft

EVM-3VSX50B14

EVM-3VSX50B14

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 10K OHM 0.15W J LEAD TOP

LM2901DR2G

LM2901DR2G

ON Semiconductor

IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC

BA30BC0WFP-E2

BA30BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 1A TO252-5

DS5000T-32-16+

DS5000T-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

AD734AQ

AD734AQ

Analog Devices

IC MULTIPLIER/DIVIDER 14CDIP

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

JS28F128J3D75A

JS28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

MAX3160CAP+

MAX3160CAP+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

AK4458VN

AK4458VN

AKM Semiconductor Inc.

IC DAC/AUDIO 32BIT 768K 48QFN