NVMFD5C478NT1G
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| Teilenummer | NVMFD5C478NT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5C478NT1G |
| Beschreibung | 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.148 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5C478NT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5C478NT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NVMFD5C478NT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.8A (Ta), 27A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| Leistung - max | 3.1W (Ta), 23W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3450pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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