PMBFJ110,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMBFJ110,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | PMBFJ110-215 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 49.990 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ110 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMBFJ110,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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PMBFJ110 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 25V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 4V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 18 Ohms |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 200 Ohms Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SMCP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-VTFP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 3V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AC (TO-52) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
