PSMN027-100XS,127
Nur als Referenz
| Teilenummer | PSMN027-100XS,127 |
| PNEDA Teilenummer | PSMN027-100XS-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PSMN027-100XS Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | PSMN027-100XS,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- PSMN027-100XS,127 Datasheet
- where to find PSMN027-100XS,127
- Nexperia
- Nexperia PSMN027-100XS,127
- PSMN027-100XS,127 PDF Datasheet
- PSMN027-100XS,127 Stock
- PSMN027-100XS,127 Pinout
- Datasheet PSMN027-100XS,127
- PSMN027-100XS,127 Supplier
- Nexperia Distributor
- PSMN027-100XS,127 Price
- PSMN027-100XS,127 Distributor
PSMN027-100XS Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.8mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1624pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41.1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket ChipFET™ Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
Hersteller STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-FET™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1893pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 330W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.65W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-73 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
