Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJP60F5DPM-00#T1

RJP60F5DPM-00#T1

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60F5DPM-00#T1
PNEDA Teilenummer RJP60F5DPM-00-T1
Beschreibung IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJP60F5DPM-00#T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60F5DPM-00#T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJP60F5DPM-00#T1, RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 78,13 KB)
PDFRJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Cover
RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 2 RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 3 RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 4 RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 5 RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 6 RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJP60F5DPM-00#T1 Datasheet
  • where to find RJP60F5DPM-00#T1
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJP60F5DPM-00#T1
  • RJP60F5DPM-00#T1 PDF Datasheet
  • RJP60F5DPM-00#T1 Stock

  • RJP60F5DPM-00#T1 Pinout
  • Datasheet RJP60F5DPM-00#T1
  • RJP60F5DPM-00#T1 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJP60F5DPM-00#T1 Price
  • RJP60F5DPM-00#T1 Distributor

RJP60F5DPM-00#T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Leistung - max45W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge74nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/90ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGS30B60KTRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RGS80TSX2DHRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

3mJ (on), 3.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/199ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

198ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IRG4BC40W-LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

IEWS20R5135IPBXKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

288W

Schaltenergie

1.21mJ (off)

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

668ns/2034ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-6

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-6

FGY75T120SQDN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

790W

Schaltenergie

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

399nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/332ns

Testbedingung

600V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

99ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

FT245RL-REEL

FT245RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

VS-30BQ060TRPBF

VS-30BQ060TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

HIH-5030-001

HIH-5030-001

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR HUMIDITY 5V ANALOG 3% SMD

0451001.MRL

0451001.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC 2SMD

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

UPD720114GA-YEU-AT

UPD720114GA-YEU-AT

Renesas Electronics America

IC CONTROLLER USB 48TQFP

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

2N3906BU

2N3906BU

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S