SBL1030CT801HE3/45
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| Teilenummer | SBL1030CT801HE3/45 |
| PNEDA Teilenummer | SBL1030CT801HE3-45 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY TO220AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.358 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBL1030CT801HE3/45 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBL1030CT801HE3/45 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
SBL1030CT801HE3/45, SBL1030CT801HE3/45 Datenblatt
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SBL1030CT801HE3/45 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 30V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 120A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
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