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SGB02N120ATMA1

SGB02N120ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGB02N120ATMA1
PNEDA Teilenummer SGB02N120ATMA1
Beschreibung IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGB02N120ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGB02N120ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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SGB02N120ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.2A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A
Leistung - max62W
Schaltenergie220µJ
EingabetypStandard
Gate Charge11nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/260ns
Testbedingung800V, 2A, 91Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP30NC60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

305µJ (on), 181µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29.5ns/118ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/550ns

Testbedingung

800V, 10A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

164A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/192ns

Testbedingung

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

420ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

IRGB30B60K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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