SIHG25N40D-E3
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| Teilenummer | SIHG25N40D-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHG25N40D-E3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.144 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHG25N40D-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHG25N40D-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SIHG25N40D-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1707pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.06A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 236mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-89-6 Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
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