SIZ346DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ346DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ346DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZ346DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ346DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ346DT-T1-GE3, SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ346DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc), 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V, 650pF @ 15V |
| Leistung - max | 16W, 16.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V Leistung - max 41W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10 |
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