SIZF300DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZF300DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZF300DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZF300DT-T1-GE3, SIZF300DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZF300DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Leistung - max | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
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