STGB10H60DF
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| Teilenummer | STGB10H60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGB10H60DF |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 115W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB10H60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB10H60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB10H60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 115W |
| Schaltenergie | 83µJ (on), 140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 57nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19.5ns/103ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 107ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 75A Leistung - max 938W Schaltenergie 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/282ns Testbedingung 600V, 75A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-46 |
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