Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD3NB60SDT4
PNEDA Teilenummer STGD3NB60SDT4
Beschreibung IGBT 600V 6A 48W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGD3NB60SDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD3NB60SDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD3NB60SDT4, STGD3NB60SDT4 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 307,21 KB)
PDFSTGD3NB60SD-1 Datenblatt Cover
STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 2 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 3 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 4 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 5 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 6 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 7 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 8 STGD3NB60SD-1 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STGD3NB60SDT4 Datasheet
  • where to find STGD3NB60SDT4
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STGD3NB60SDT4
  • STGD3NB60SDT4 PDF Datasheet
  • STGD3NB60SDT4 Stock

  • STGD3NB60SDT4 Pinout
  • Datasheet STGD3NB60SDT4
  • STGD3NB60SDT4 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STGD3NB60SDT4 Price
  • STGD3NB60SDT4 Distributor

STGD3NB60SDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 3A
Leistung - max48W
Schaltenergie1.15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.125µs/-
Testbedingung480V, 3A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

5.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/680ns

Testbedingung

960V, 12A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IXBF32N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IGP30N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

FGM603

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

130ns/340ns

Testbedingung

300V, 30A

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

360µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

Kürzlich verkauft

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

ADV7183BBSTZ

ADV7183BBSTZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER NTSC 80-LQFP

PM-L54P

PM-L54P

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT PNP MODULE

KSZ8081RNBCA-TR

KSZ8081RNBCA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

74HC245D

74HC245D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC TRANSCVR NON-INVERT 6V 20SOIC

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

LTV-817S-TA1-D

LTV-817S-TA1-D

Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

MAX942EUA+T

MAX942EUA+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

3362W-1-103

3362W-1-103

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN SIDE

EP1C20F324C7

EP1C20F324C7

Intel

IC FPGA 233 I/O 324FBGA