STGF30V60DF
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGF30V60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGF30V60DF |
| Beschreibung | IGBT BIPO 600V 30A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGF30V60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF30V60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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STGF30V60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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