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STGP3HF60HD

STGP3HF60HD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP3HF60HD
PNEDA Teilenummer STGP3HF60HD
Beschreibung IGBT BIPO 600V 3A TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 27.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGP3HF60HD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP3HF60HD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP3HF60HD, STGP3HF60HD Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 1.321,62 KB)
PDFSTGF3HF60HD Datenblatt Cover
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STGP3HF60HD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7.5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.95V @ 15V, 1.5A
Leistung - max38W
Schaltenergie19µJ (on), 12µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge12nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.11ns/60ns
Testbedingung400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/128ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG7PK35UD1-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

650µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/150ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IGB15N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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