STGW60H65DRF
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| Teilenummer | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 420W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.140 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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STGW60H65DRF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW60H65DRF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW60H65DRF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 420W |
| Schaltenergie | 940µJ (on), 1.06mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 217nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 85ns/178ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 19ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 650ns/13.5µs Testbedingung 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 5A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 60µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/160ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
