STGWA40H120DF2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGWA40H120DF2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGWA40H120DF2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRENCH GATE IGBT TO247 PKG | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.040 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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STGWA40H120DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWA40H120DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWA40H120DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 468W |
| Schaltenergie | 1mJ (on), 1.32mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 158nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/152ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 488ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A Leistung - max 417W Schaltenergie 1.5mJ (on), 460µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/237ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 94ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 106A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Leistung - max 694W Schaltenergie 2585µJ (on), 1910µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 240nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/215ns Testbedingung 800V, 50A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 156W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 257nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/243ns Testbedingung 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
