Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TSM500P02DCQ RFG

TSM500P02DCQ RFG

Nur als Referenz

Teilenummer TSM500P02DCQ RFG
PNEDA Teilenummer TSM500P02DCQ-RFG
Beschreibung MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 18 - Jul 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TSM500P02DCQ RFG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM500P02DCQ RFG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TSM500P02DCQ RFG Datasheet
  • where to find TSM500P02DCQ RFG
  • Taiwan Semiconductor Corporation

  • Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG
  • TSM500P02DCQ RFG PDF Datasheet
  • TSM500P02DCQ RFG Stock

  • TSM500P02DCQ RFG Pinout
  • Datasheet TSM500P02DCQ RFG
  • TSM500P02DCQ RFG Supplier

  • Taiwan Semiconductor Corporation Distributor
  • TSM500P02DCQ RFG Price
  • TSM500P02DCQ RFG Distributor

TSM500P02DCQ RFG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1230pF @ 10V
Leistung - max620mW
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-TDFN (2x2)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.58A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1495pF @ 10V

Leistung - max

880mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

SI5517DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

8.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

MC7252KDW-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA, 180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF, 30pF @ 10V, 5V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

RJM0603JSC-00#12

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Leistung - max

54W

Betriebstemperatur

175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-HSOP

MMDF2P02HDR2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 16V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

ADM2582EBRWZ

ADM2582EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

ARF445

ARF445

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

PI6C49X0204CWIE

PI6C49X0204CWIE

Diodes Incorporated

IC CLOCK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

MAX3491EESD+T

MAX3491EESD+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

EN6347QI

EN6347QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V

KSZ9031RNXIA

KSZ9031RNXIA

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

B520C-13-F

B520C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC