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VQ1006P

VQ1006P

Nur als Referenz

Teilenummer VQ1006P
PNEDA Teilenummer VQ1006P
Beschreibung MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 7.884
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VQ1006P Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVQ1006P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VQ1006P, VQ1006P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 61,05 KB)
PDFVQ1006P-E3 Datenblatt Cover
VQ1006P-E3 Datenblatt Seite 2 VQ1006P-E3 Datenblatt Seite 3 VQ1006P-E3 Datenblatt Seite 4 VQ1006P-E3 Datenblatt Seite 5

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VQ1006P Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)90V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket14-DIP

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V, 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

518pF @ 15V

Leistung - max

6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

8-LSON (5x6)

MP6M12TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

MPT6

DMN65D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRF7311TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMN2040LTS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 10V

Leistung - max

890mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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